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天天中彩票网-中国芯扬威打破国外高端IGBT技术垄断

 


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本文摘要:时隔国内首条8英寸IGBT专业芯片线在南车株洲所投产后,该所又传到好消息:近日,载有首批8英寸IGBT芯片的模块,在昆明地铁车辆段已完成段内调试,并平稳运营一万公里,各项参数指标达国际先进设备水平。

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时隔国内首条8英寸IGBT专业芯片线在南车株洲所投产后,该所又传到好消息:近日,载有首批8英寸IGBT芯片的模块,在昆明地铁车辆段已完成段内调试,并平稳运营一万公里,各项参数指标达国际先进设备水平。  此次试运营的IGBT模块,由南车株洲所旗下南车时代电气自律研发的8英寸IGBT芯片PCB而出,IGBT芯片生产、PCB、测试的整套技术皆在公司研制和生产。它的问世到应用于,已完全超越国外高端IGBT技术独占,构建从研发、生产到应用于的几乎国产化。  作为电力电子装置的心脏,IGBT在国家战略领域中不可或缺。

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但是,国内IGBT技术跟上较早,发展艰苦而较慢。国内大功率IGBT市场因此仍然被国外公司独占。二十世纪六十年代初,株洲所开始培育我国最先的半导体器件研发队伍。

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改革开放后,该所从美国西屋公司引入一条3英寸大功率半导体生产线,通过消化和吸取,先后顺利研制出5英寸系列普通晶闸管和整流管及世界上第一只6英寸晶闸管。

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